GP1M003A080H
GP1M003A080H
Part Number:
GP1M003A080H
Producent:
Global Power Technologies Group
Opis:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
17731 Pieces
Arkusz danych:
GP1M003A080H.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla GP1M003A080H, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla GP1M003A080H e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować GP1M003A080H z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-220
Seria:-
RDS (Max) @ ID, Vgs:4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Strata mocy (max):94W (Tc)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:TO-220-3
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Numer części producenta:GP1M003A080H
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:696pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:19nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220
Spust do źródła napięcia (Vdss):800V
Opis:MOSFET N-CH 800V 3A TO220
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze