Kupować FQI2N80TU z BYCHPS
Kup z gwarancją
VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet: | I2PAK |
Seria: | QFET® |
RDS (Max) @ ID, Vgs: | 6.3 Ohm @ 900mA, 10V |
Strata mocy (max): | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
Opakowania: | Tube |
Package / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania: | Through Hole |
Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
Numer części producenta: | FQI2N80TU |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 550pF @ 25V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
Rodzaj FET: | N-Channel |
Cecha FET: | - |
Rozszerzony opis: | N-Channel 800V 2.4A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Through Hole I2PAK |
Spust do źródła napięcia (Vdss): | 800V |
Opis: | MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 2.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |