FQI15P12TU
FQI15P12TU
Part Number:
FQI15P12TU
Producent:
Fairchild/ON Semiconductor
Opis:
MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
14037 Pieces
Arkusz danych:
FQI15P12TU.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla FQI15P12TU, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla FQI15P12TU e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować FQI15P12TU z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:I2PAK
Seria:QFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs:200 mOhm @ 7.5A, 10V
Strata mocy (max):3.75W (Ta), 100W (Tc)
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura robocza:-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Numer części producenta:FQI15P12TU
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:1100pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:38nC @ 10V
Rodzaj FET:P-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:P-Channel 120V 15A (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) Through Hole I2PAK
Spust do źródła napięcia (Vdss):120V
Opis:MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze