Kupować FQA65N20 z BYCHPS
Kup z gwarancją
VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-3PN |
Seria: | QFET® |
RDS (Max) @ ID, Vgs: | 32 mOhm @ 32.5A, 10V |
Strata mocy (max): | 310W (Tc) |
Opakowania: | Tube |
Package / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Inne nazwy: | FQA65N20-ND FQA65N20FS |
temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania: | Through Hole |
Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
Numer części producenta: | FQA65N20 |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 7900pF @ 25V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
Rodzaj FET: | N-Channel |
Cecha FET: | - |
Rozszerzony opis: | N-Channel 200V 65A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN |
Spust do źródła napięcia (Vdss): | 200V |
Opis: | MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 65A (Tc) |
Email: | [email protected] |