Kupować FGD3N60UNDF z BYCHPS
Kup z gwarancją
FGD3N60UNDF
- Part Number:
- FGD3N60UNDF
- Producent:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Opis:
- IGBT 600V 6A 60W DPAK
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 12871 Pieces
- Arkusz danych:
- FGD3N60UNDF.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla FGD3N60UNDF, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla FGD3N60UNDF e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.52V @ 15V, 3A |
| Stan testu: | 400V, 3A, 10 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 5.5ns/22ns |
| Przełączanie Energy: | 52µJ (on), 30µJ (off) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-252, (D-Pak) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 21ns |
| Moc - Max: | 60W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Inne nazwy: | FGD3N60UNDFTR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 35 Weeks |
| Numer części producenta: | FGD3N60UNDF |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | NPT |
| brama Charge: | 1.6nC |
| Rozszerzony opis: | IGBT NPT 600V 6A 60W Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Opis: | IGBT 600V 6A 60W DPAK |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 9A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 6A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FGD3N60UNDF
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IRG7CH28UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
STGF30H60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 37W TO220FP | Zapytanie ofertowe |
 |
IXGK50N60C2D1 | IXYS | IGBT 600V 75A 480W TO264AA | Zapytanie ofertowe |
 |
FGH50T65UPD | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 650V 100A 340W TO-247AB | Zapytanie ofertowe |
 |
IXGH30N60C3D1 | IXYS | IGBT 600V 60A 220W TO247 | Zapytanie ofertowe |
 |
FGD3N60LSDTM | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 6A 40W DPAK | Zapytanie ofertowe |
 |
FGPF30N30DTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 300V 46W TO220F | Zapytanie ofertowe |
 |
IXYH16N170C | IXYS | 1700V/40A HIGH VOLTAGE XPT IGBT, | Zapytanie ofertowe |
|
IRG4RC10KD | Infineon Technologies | IGBT 600V 9A 38W DPAK | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog