Kupować FDM2509NZ z BYCHPS
Kup z gwarancją
FDM2509NZ
- Part Number:
- FDM2509NZ
- Producent:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Opis:
- MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 19027 Pieces
- Arkusz danych:
- FDM2509NZ.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla FDM2509NZ, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla FDM2509NZ e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-MicroFET (2x5) |
| Seria: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V |
| Moc - Max: | 800mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-WFDFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | FDM2509NZ |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1200pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.7A 800mW Surface Mount 6-MicroFET (2x5) |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| Opis: | MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 8.7A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FDM2509NZ
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7540DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 | Zapytanie ofertowe |
 |
VEC2616-TL-W-Z | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 | Zapytanie ofertowe |
 |
SI9936DY | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC | Zapytanie ofertowe |
 |
TT8J13TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8 | Zapytanie ofertowe |
 |
SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Zapytanie ofertowe |
 |
APTC60VDAM24T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | Zapytanie ofertowe |
 |
SI7904DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8 | Zapytanie ofertowe |
 |
TPC8221-H,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP | Zapytanie ofertowe |
 |
FDJ1028N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75 | Zapytanie ofertowe |
 |
SI6955ADQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP | Zapytanie ofertowe |
|
APTM100TA35SCTPG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog