Kupować EPC2105ENG z BYCHPS
Kup z gwarancją
EPC2105ENG
- Part Number:
- EPC2105ENG
- Producent:
- EPC
- Opis:
- TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 12513 Pieces
- Arkusz danych:
- EPC2105ENG.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla EPC2105ENG, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla EPC2105ENG e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Die |
| Seria: | eGaN® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Moc - Max: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Die |
| Inne nazwy: | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | EPC2105ENG |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 300pF @ 40V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 2.5nC @ 5V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Cecha FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 80V |
| Opis: | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 9.5A, 38A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EPC2105ENG
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2100ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2101ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog