Kupować EMG1T2R z BYCHPS
Kup z gwarancją
EMG1T2R
- Part Number:
- EMG1T2R
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 13042 Pieces
- Arkusz danych:
- EMG1T2R.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla EMG1T2R, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla EMG1T2R e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Typ tranzystora: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | EMT5 |
| Seria: | - |
| Opornik - Emiter bazowa (R2) (Ohm): | 22k |
| Opornik - Baza (R1) (Ohm): | 22k |
| Moc - Max: | 150mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Inne nazwy: | EMG1T2RTR |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | EMG1T2R |
| Częstotliwość - Transition: | 250MHz |
| Rozszerzony opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
| Opis: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 56 @ 5mA, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 500nA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EMG1T2R
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IMH11AT110 | Rohm Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | Zapytanie ofertowe |
 |
PQMD10Z | Nexperia USA Inc. | TRANS NPN/PNP RET 6DFN | Zapytanie ofertowe |
 |
NSM46211DW6T1G | ON Semiconductor | TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363 | Zapytanie ofertowe |
|
PUMD30,115 | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP | Zapytanie ofertowe |
|
RN4604(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 | Zapytanie ofertowe |
|
PUMB11,135 | Nexperia USA Inc. | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Zapytanie ofertowe |
 |
DCX114EH-7 | Diodes Incorporated | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | Zapytanie ofertowe |
 |
NSBA143ZDXV6T5G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | Zapytanie ofertowe |
|
MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog