Kupować EMD29T2R z BYCHPS
Kup z gwarancją
		| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V, 12V | 
|---|---|
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA | 
| Typ tranzystora: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 
| Dostawca urządzeń Pakiet: | EMT6 | 
| Seria: | - | 
| Opornik - Emiter bazowa (R2) (Ohm): | 10k | 
| Opornik - Baza (R1) (Ohm): | 1k, 10k | 
| Moc - Max: | 120mW | 
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) | 
| Package / Case: | SOT-563, SOT-666 | 
| Inne nazwy: | EMD29T2R-ND  EMD29T2RTR Q3614586  | 
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount | 
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks | 
| Numer części producenta: | EMD29T2R | 
| Częstotliwość - Transition: | 250MHz, 260MHz | 
| Rozszerzony opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 120mW Surface Mount EMT6 | 
| Opis: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 | 
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V | 
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 500nA | 
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 100mA, 500mA | 
| Email: | [email protected] |