Kupować EM6M1T2R z BYCHPS
Kup z gwarancją
EM6M1T2R
- Part Number:
- EM6M1T2R
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 19588 Pieces
- Arkusz danych:
- EM6M1T2R.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla EM6M1T2R, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla EM6M1T2R e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Dostawca urządzeń Pakiet: | EMT6 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Moc - Max: | 150mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-563, SOT-666 |
| Inne nazwy: | EM6M1T2RTR |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | EM6M1T2R |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 13pF @ 5V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 0.9nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V, 20V |
| Opis: | MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 100mA, 200mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EM6M1T2R
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
SI1563DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | Zapytanie ofertowe |
 |
DMN62D0UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 | Zapytanie ofertowe |
 |
DMG6602SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 | Zapytanie ofertowe |
 |
IRFI4024H-117P | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5 | Zapytanie ofertowe |
 |
ALD310700ASCL | Advanced Linear Devices Inc. | QUAD P-CHANNEL EPAD MATCHED PAIR | Zapytanie ofertowe |
 |
IRF7751GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP | Zapytanie ofertowe |
 |
AO6808_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP | Zapytanie ofertowe |
 |
BSO350N03 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO | Zapytanie ofertowe |
|
DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | Zapytanie ofertowe |
 |
MTM684100LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog