Kupować DMN2300U-7 z BYCHPS
Kup z gwarancją
DMN2300U-7
- Part Number:
- DMN2300U-7
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 13378 Pieces
- Arkusz danych:
- DMN2300U-7.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla DMN2300U-7, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla DMN2300U-7 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (maks.): | ±8V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 175 mOhm @ 300mA, 4.5V |
| Strata mocy (max): | 430mW (Ta) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Inne nazwy: | DMN2300U-7DITR DMN2300U7 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | DMN2300U-7 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 64.3pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 1.6nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 20V 1.24A (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| Opis: | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 1.24A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DMN2300U-7
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2300UFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN | Zapytanie ofertowe |
 |
DMN2300UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN | Zapytanie ofertowe |
 |
DMN2300UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN | Zapytanie ofertowe |
 |
DMN2300UFL4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN | Zapytanie ofertowe |
|
DMN2320UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 | Zapytanie ofertowe |
 |
FQI10N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK | Zapytanie ofertowe |
 |
RQ1C075UNTR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8 | Zapytanie ofertowe |
 |
IRFB4321GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog