CDM22010-650 SL
Part Number:
CDM22010-650 SL
Producent:
Central Semiconductor
Opis:
MOSFET N-CH 10A 650V TO220
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
18666 Pieces
Arkusz danych:
CDM22010-650 SL.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla CDM22010-650 SL, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla CDM22010-650 SL e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować CDM22010-650 SL z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (maks.):30V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-220
Seria:-
RDS (Max) @ ID, Vgs:1 Ohm @ 5A, 10V
Strata mocy (max):2W (Ta), 156W (Tc)
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-220-3
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:12 Weeks
Numer części producenta:CDM22010-650 SL
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:1168pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:20nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 650V 10A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):650V
Opis:MOSFET N-CH 10A 650V TO220
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze