Kupować BSM75GB170DN2HOSA1 z BYCHPS
Kup z gwarancją
BSM75GB170DN2HOSA1
- Part Number:
- BSM75GB170DN2HOSA1
- Opis:
- IGBT 1700V 110A 625W MODULE
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 13905 Pieces
- Arkusz danych:
- BSM75GB170DN2HOSA1.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla BSM75GB170DN2HOSA1, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla BSM75GB170DN2HOSA1 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1700V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 3.9V @ 15V, 75A |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Module |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 625W |
| Package / Case: | Module |
| Inne nazwy: | SP000100464 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Termistor NTC: | No |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Numer części producenta: | BSM75GB170DN2HOSA1 |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 11nF @ 25V |
| Wkład: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| Rozszerzony opis: | IGBT Module Half Bridge 1700V 110A 625W Chassis Mount Module |
| Opis: | IGBT 1700V 110A 625W MODULE |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | - |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 110A |
| Konfiguracja: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BSM75GB170DN2HOSA1
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT50TA60PG | Microsemi Corporation | IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P | Zapytanie ofertowe |
|
APTGT100A120T3AG | Microsemi Corporation | MOD IGBT 1200V 140A SP3 | Zapytanie ofertowe |
 |
CM75RX-24S | Powerex Inc. | IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NX SER | Zapytanie ofertowe |
|
APTGT200SK60T3AG | Microsemi Corporation | MOD IGBT 600V 290A SP3 | Zapytanie ofertowe |
 |
CM75RL-24NF | Powerex Inc. | IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NF SER | Zapytanie ofertowe |
|
APTGLQ75H65T1G | Microsemi Corporation | PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 | Zapytanie ofertowe |
 |
MIXA101W1200EH | IXYS | IGBT MODULE 1200V 108A HEX | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog