Kupować BSC042N03LSGATMA1 z BYCHPS
Kup z gwarancją
BSC042N03LSGATMA1
- Part Number:
- BSC042N03LSGATMA1
- Opis:
- MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 13543 Pieces
- Arkusz danych:
- BSC042N03LSGATMA1.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla BSC042N03LSGATMA1, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla BSC042N03LSGATMA1 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TDSON-8 |
| Seria: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 4.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Strata mocy (max): | 2.5W (Ta), 57W (Tc) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-PowerTDFN |
| Inne nazwy: | BSC042N03LS G BSC042N03LSG BSC042N03LSGINTR BSC042N03LSGINTR-ND BSC042N03LSGXT SP000302864 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Numer części producenta: | BSC042N03LSGATMA1 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 3500pF @ 15V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 30V 20A (Ta), 93A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| Opis: | MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 20A (Ta), 93A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BSC042N03LSGATMA1
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
BSC042N03ST | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 | Zapytanie ofertowe |
|
BSC042N03S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8 | Zapytanie ofertowe |
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON | Zapytanie ofertowe |
|
BSC046N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 | Zapytanie ofertowe |
|
BSC042NE7NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 | Zapytanie ofertowe |
|
BSC046N02KS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | Zapytanie ofertowe |
|
BSC047N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 | Zapytanie ofertowe |
|
BSC048N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8 | Zapytanie ofertowe |
|
BSC040N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON | Zapytanie ofertowe |
|
BSC042N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog