Kupować BF5020WE6327HTSA1 z BYCHPS
Kup z gwarancją
BF5020WE6327HTSA1
- Part Number:
- BF5020WE6327HTSA1
- Opis:
- MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 18999 Pieces
- Arkusz danych:
- BF5020WE6327HTSA1.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla BF5020WE6327HTSA1, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla BF5020WE6327HTSA1 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Test: | 5V |
|---|---|
| Napięcie - znamionowe: | 8V |
| Typ tranzystora: | N-Channel |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-SOT343-4 |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-82A, SOT-343 |
| Inne nazwy: | BF 5020W E6327 BF 5020W E6327-ND SP000306870 |
| noise Figure: | 1.2dB |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | BF5020WE6327HTSA1 |
| Zdobyć: | 26dB |
| Częstotliwość: | 800MHz |
| Rozszerzony opis: | RF Mosfet N-Channel 5V 10mA 800MHz 26dB PG-SOT343-4 |
| Opis: | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343 |
| Aktualna ocena: | 25mA |
| Obecny - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BF5020WE6327HTSA1
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6S9200HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | Zapytanie ofertowe |
 |
MRF8P18265HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-8 | Zapytanie ofertowe |
|
MRF7S21150HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | Zapytanie ofertowe |
 |
150-501N04A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE150 | Zapytanie ofertowe |
 |
MRFE6VP6300HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 | Zapytanie ofertowe |
 |
BF5020WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT343 | Zapytanie ofertowe |
 |
BLF2425M6LS180P,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539B | Zapytanie ofertowe |
|
MMRF1022HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4 | Zapytanie ofertowe |
 |
BF1202R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R | Zapytanie ofertowe |
 |
ARF521 | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 500V 10A M174 | Zapytanie ofertowe |
 |
2N5247_J35Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V TO92 | Zapytanie ofertowe |
 |
MAGX-000035-01000P | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR RF 10W GAN | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog