Kupować AON3611 z BYCHPS
Kup z gwarancją
AON3611
- Part Number:
- AON3611
- Producent:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Opis:
- MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 18638 Pieces
- Arkusz danych:
- 1.AON3611.pdf2.AON3611.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla AON3611, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla AON3611 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DFN (2.9x2.3) |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 50 mOhm @ 5A, 10V |
| Moc - Max: | 2.1W, 2.5W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SMD, Flat Lead |
| Inne nazwy: | AON3611-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Numer części producenta: | AON3611 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 170pF @ 15V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel, Common Drain |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5A, 6A 2.1W, 2.5W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3) |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| Opis: | MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 5A, 6A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AON3611
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
AON3613 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN | Zapytanie ofertowe |
 |
DMN5L06DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363 | Zapytanie ofertowe |
 |
NTMD5838NLR2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC | Zapytanie ofertowe |
 |
SSM6N48FU,RF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C | Zapytanie ofertowe |
 |
APTC60AM45BC1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | Zapytanie ofertowe |
 |
SP8M3FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC | Zapytanie ofertowe |
 |
IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Zapytanie ofertowe |
 |
IRF7750 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP | Zapytanie ofertowe |
 |
APTC90DDA12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Zapytanie ofertowe |
|
APTM10DSKM09T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog