Kupować A2T18S160W31GSR3 z BYCHPS
Kup z gwarancją
A2T18S160W31GSR3
- Part Number:
- A2T18S160W31GSR3
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC TRANS RF LDMOS
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 13394 Pieces
- Arkusz danych:
- 1.A2T18S160W31GSR3.pdf2.A2T18S160W31GSR3.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla A2T18S160W31GSR3, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla A2T18S160W31GSR3 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Test: | 28V |
|---|---|
| Napięcie - znamionowe: | 65V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | NI-780GS-2L2LA |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 32W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | NI-780GS-2L2LA |
| Inne nazwy: | 935312705128 |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | A2T18S160W31GSR3 |
| Zdobyć: | 19.9dB |
| Częstotliwość: | 1.88GHz |
| Rozszerzony opis: | RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780GS-2L2LA |
| Opis: | IC TRANS RF LDMOS |
| Aktualna ocena: | - |
| Obecny - Test: | 1A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do A2T18S160W31GSR3
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
A2T18S160W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Zapytanie ofertowe |
|
A2T18H100-25SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ | Zapytanie ofertowe |
|
A2T18H450W19SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Zapytanie ofertowe |
 |
BLF404,115 | Ampleon USA Inc. | RF FET NCHA 40V 11.5DB SOT409A | Zapytanie ofertowe |
|
A2T18H410-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Zapytanie ofertowe |
|
A2T18S162W31GSR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Zapytanie ofertowe |
|
A2T18S162W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Zapytanie ofertowe |
 |
MRF5S9100NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 | Zapytanie ofertowe |
 |
SD57060 | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ M243 | Zapytanie ofertowe |
|
A2T18H160-24SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Zapytanie ofertowe |
 |
MRF5S9101MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO2724 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog