Kupować 1SS356TW11 z BYCHPS
Kup z gwarancją
1SS356TW11
- Part Number:
- 1SS356TW11
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 13132 Pieces
- Arkusz danych:
- 1SS356TW11.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla 1SS356TW11, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla 1SS356TW11 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 35V |
|---|---|
| Dostawca urządzeń Pakiet: | UMD2 |
| Seria: | - |
| Odporność @ Jeżeli F: | 900 mOhm @ 2mA, 100MHz |
| Strata mocy (max): | 200mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-90, SOD-323F |
| Inne nazwy: | 1SS356TW11-ND 1SS356TW11TR |
| temperatura robocza: | 125°C (TJ) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | 1SS356TW11 |
| Rozszerzony opis: | RF Diode Standard - Single 35V 100mA 200mW UMD2 |
| Typ diody: | Standard - Single |
| Opis: | DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR |
| Obecny - Max: | 100mA |
| Pojemność @ VR F: | 1.2pF @ 6V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1SS356TW11
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
1SS355VMTE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 | Zapytanie ofertowe |
|
1SS355TE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 | Zapytanie ofertowe |
 |
BAT6207WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 40V 20MA SOT343 | Zapytanie ofertowe |
 |
BAR 67-02V E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SGL 150V 200MA SC-79 | Zapytanie ofertowe |
 |
HSMS-285C-BLKG | Broadcom Limited | DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-323 | Zapytanie ofertowe |
 |
1SS355WTE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURPOSE | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog