Kupować US6M11TR z BYCHPS
Kup z gwarancją
US6M11TR
- Part Number:
- US6M11TR
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 13811 Pieces
- Arkusz danych:
- US6M11TR.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla US6M11TR, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla US6M11TR e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Dostawca urządzeń Pakiet: | UMT6 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Moc - Max: | 1W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | US6M11TR |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 110pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 1.8nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V, 12V |
| Opis: | MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 1.5A, 1.3A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do US6M11TR
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
FDS8333C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | Zapytanie ofertowe |
|
DI9942T | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC | Zapytanie ofertowe |
 |
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | Zapytanie ofertowe |
 |
DMN3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | Zapytanie ofertowe |
 |
APTM100DDA35T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | Zapytanie ofertowe |
 |
US6M1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 | Zapytanie ofertowe |
 |
ALD210804PCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | Zapytanie ofertowe |
 |
QS8K21TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8 | Zapytanie ofertowe |
 |
FDY4001CZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 | Zapytanie ofertowe |
 |
TPIC1502DW | Texas Instruments | MOSFET 20V 1.5A DMOS 24-DW | Zapytanie ofertowe |
|
AO4614B | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog