Kupować TT8K11TCR z BYCHPS
Kup z gwarancją
TT8K11TCR
- Part Number:
- TT8K11TCR
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 17160 Pieces
- Arkusz danych:
- TT8K11TCR.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla TT8K11TCR, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla TT8K11TCR e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1A |
|---|---|
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-TSST |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 71 mOhm @ 3A, 10V |
| Moc - Max: | 1W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SMD, Flat Lead |
| Inne nazwy: | TT8K11TCRTR |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | TT8K11TCR |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 140pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 2.5nC @ 5V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3A 1W Surface Mount 8-TSST |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| Opis: | MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 3A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TT8K11TCR
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
AON6974A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN | Zapytanie ofertowe |
 |
APTM20HM20FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 | Zapytanie ofertowe |
 |
PMGD175XN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP | Zapytanie ofertowe |
 |
AO8820 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP | Zapytanie ofertowe |
 |
AUIRF7319QTR | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | Zapytanie ofertowe |
 |
DMN5L06DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363 | Zapytanie ofertowe |
 |
BSL314PEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP | Zapytanie ofertowe |
 |
SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR | Zapytanie ofertowe |
 |
FDMJ1028N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET | Zapytanie ofertowe |
 |
TT8K1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog