Kupować STTH812DI z BYCHPS
Kup z gwarancją
STTH812DI
- Part Number:
- STTH812DI
- Producent:
- ST
- Opis:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220LNS
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 14076 Pieces
- Arkusz danych:
- STTH812DI.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla STTH812DI, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla STTH812DI e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 2.2V @ 8A |
|---|---|
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1200V (1.2kV) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220Ins |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 100ns |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-2 Insulated, TO-220AC |
| Inne nazwy: | 497-5165-5 |
| Temperatura pracy - złącze: | 175°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Numer części producenta: | STTH812DI |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Through Hole TO-220Ins |
| Typ diody: | Standard |
| Opis: | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220LNS |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 8µA @ 1200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 8A |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do STTH812DI
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH810DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB | Zapytanie ofertowe |
 |
STTH810G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
 |
STTH810D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC | Zapytanie ofertowe |
 |
STTH810GY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
STTH812G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
 |
STTH812FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220FP | Zapytanie ofertowe |
|
STTH812D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC | Zapytanie ofertowe |
|
STTH812G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
STTH810FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP | Zapytanie ofertowe |
|
STTH810G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
STTH803G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 8A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
STTH806G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog