Kupować STTH4R02BY-TR z BYCHPS
Kup z gwarancją
STTH4R02BY-TR
- Part Number:
- STTH4R02BY-TR
- Producent:
- ST
- Opis:
- DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 17565 Pieces
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla STTH4R02BY-TR, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla STTH4R02BY-TR e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.05V @ 4A |
|---|---|
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 200V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DPAK |
| Prędkość: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 30ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Inne nazwy: | 497-16922-2 |
| Temperatura pracy - złącze: | -40°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Numer części producenta: | STTH4R02BY-TR |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 200V 4A Surface Mount DPAK |
| Typ diody: | Standard |
| Opis: | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 3µA @ 200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 4A |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do STTH4R02BY-TR
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH4R02D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A TO220AC | Zapytanie ofertowe |
 |
STTH4R02S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC | Zapytanie ofertowe |
|
STTH4R02SY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC | Zapytanie ofertowe |
 |
STTH4R02FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A TO220FP | Zapytanie ofertowe |
 |
STTH4R02UY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | Zapytanie ofertowe |
 |
STTH4R02RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | Zapytanie ofertowe |
 |
STTH4R06DEE-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT | Zapytanie ofertowe |
|
STTH4R02B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | Zapytanie ofertowe |
 |
STTH4R02B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | Zapytanie ofertowe |
|
STTH4R02U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | Zapytanie ofertowe |
|
STTH4R02 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog