Kupować STB100NF03L-03-1 z BYCHPS
Kup z gwarancją
STB100NF03L-03-1
- Part Number:
- STB100NF03L-03-1
- Producent:
- ST
- Opis:
- MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 20114 Pieces
- Arkusz danych:
- STB100NF03L-03-1.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla STB100NF03L-03-1, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla STB100NF03L-03-1 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (maks.): | ±16V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | I2PAK |
| Seria: | STripFET™ III |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 3.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Strata mocy (max): | 300W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Inne nazwy: | 497-15805-5 STB100NF03L-03-1-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Numer części producenta: | STB100NF03L-03-1 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 6200pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 88nC @ 5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 30V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| Opis: | MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do STB100NF03L-03-1
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
STB100N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
 |
STB100NF04T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
STB100NF03L-03T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2029ENGRT | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
STB10NK60Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
STB100N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
STB100NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
STB10N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
STB10NK60ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
STB10N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
STB10N65K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog