Kupować FDFMA2P857 z BYCHPS
Kup z gwarancją
FDFMA2P857
- Part Number:
- FDFMA2P857
- Producent:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Opis:
- MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 15015 Pieces
- Arkusz danych:
- FDFMA2P857.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla FDFMA2P857, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla FDFMA2P857 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.3V @ 250µA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-MicroFET (2x2) |
| Seria: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Strata mocy (max): | 1.4W (Ta) |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | FDFMA2P857DKR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | FDFMA2P857 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 435pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Rozszerzony opis: | P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2) |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| Opis: | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FDFMA2P857
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
FDFMA2P029Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP | Zapytanie ofertowe |
|
FDFMA2N028Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 | Zapytanie ofertowe |
|
FDFMA2P853 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 | Zapytanie ofertowe |
|
FDFMA2P859T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET | Zapytanie ofertowe |
 |
NTP85N03RG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB | Zapytanie ofertowe |
|
FDFMA3N109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 | Zapytanie ofertowe |
|
FDFMA2P853T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET | Zapytanie ofertowe |
 |
FDFMA3P029Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2 | Zapytanie ofertowe |
 |
FQPF3N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog