Kupować EPC2018 z BYCHPS
Kup z gwarancją
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 3mA |
---|---|
Vgs (maks.): | +6V, -5V |
Technologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Dostawca urządzeń Pakiet: | Die |
Seria: | eGaN® |
RDS (Max) @ ID, Vgs: | 25 mOhm @ 6A, 5V |
Strata mocy (max): | - |
Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
Package / Case: | Die |
Inne nazwy: | 917-1034-2 |
temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
Numer części producenta: | EPC2018 |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 540pF @ 100V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 7.5nC @ 5V |
Rodzaj FET: | N-Channel |
Cecha FET: | - |
Rozszerzony opis: | N-Channel 150V 12A (Ta) Surface Mount Die |
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
Spust do źródła napięcia (Vdss): | 150V |
Opis: | TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
Email: | [email protected] |