Kupować CSD13306WT z BYCHPS
Kup z gwarancją
CSD13306WT
- Part Number:
- CSD13306WT
- Producent:
- Opis:
- MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 16751 Pieces
- Arkusz danych:
- CSD13306WT.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla CSD13306WT, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla CSD13306WT e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (maks.): | ±10V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Seria: | NexFET™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Strata mocy (max): | 1.9W (Ta) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-UFBGA, DSBGA |
| Inne nazwy: | 296-41134-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | CSD13306WT |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1370pF @ 6V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 11.2nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 12V |
| Opis: | MOSFET N-CH 12V 6DSBGA |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 3.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CSD13306WT
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
|
CSD13385F5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR | Zapytanie ofertowe |
|
CSD13302WT | Texas Instruments | CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | Zapytanie ofertowe |
|
CSD13303W1015 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA | Zapytanie ofertowe |
|
CSD13381F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | Zapytanie ofertowe |
|
CSD13306W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3.5A | Zapytanie ofertowe |
|
CSD13302W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A | Zapytanie ofertowe |
|
CSD13383F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR | Zapytanie ofertowe |
|
CSD13385F5T | Texas Instruments | 12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE | Zapytanie ofertowe |
|
CSD13383F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR | Zapytanie ofertowe |
|
CSD13380F3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR | Zapytanie ofertowe |
|
CSD13381F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | Zapytanie ofertowe |
|
CSD13201W10 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | Zapytanie ofertowe |
|
CSD13380F3T | Texas Instruments | 12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog