Kupować APT95GR65B2 z BYCHPS
Kup z gwarancją
APT95GR65B2
- Part Number:
- APT95GR65B2
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- IGBT 650V 208A 892W T-MAX
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 12758 Pieces
- Arkusz danych:
- APT95GR65B2.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla APT95GR65B2, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla APT95GR65B2 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.4V @ 15V, 95A |
| Stan testu: | 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 29ns/226ns |
| Przełączanie Energy: | 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | T-MAX™ [B2] |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 892W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Numer części producenta: | APT95GR65B2 |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | NPT |
| brama Charge: | 420nC |
| Rozszerzony opis: | IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Opis: | IGBT 650V 208A 892W T-MAX |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 400A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 208A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do APT95GR65B2
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
RJH65T04BDPMA0#T2F | Renesas Electronics America | IGBT - 650V/30A/TO-3PFP | Zapytanie ofertowe |
 |
IXGH24N60BU1 | IXYS | IGBT 600V 48A 150W TO247AD | Zapytanie ofertowe |
 |
IRG4BC20K | Infineon Technologies | IGBT 600V 16A 60W TO220AB | Zapytanie ofertowe |
 |
RGT8NS65DGTL | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 8A 65W TO-263S | Zapytanie ofertowe |
 |
IRGP4066PBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 140A 454W TO247AC | Zapytanie ofertowe |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Zapytanie ofertowe |
 |
IXGX300N60B3 | IXYS | IGBT 600V 1000W PLUS247 | Zapytanie ofertowe |
 |
IXGQ50N60C4D1 | IXYS | IGBT 600V 90A 300W TO3P | Zapytanie ofertowe |
|
IXGH60N60 | IXYS | IGBT 600V 75A 300W TO247AD | Zapytanie ofertowe |
 |
IXGT28N60B | IXYS | IGBT 600V 40A 150W TO268 | Zapytanie ofertowe |
 |
SGP10N60AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 92W TO220-3 | Zapytanie ofertowe |
 |
IRG7PH42UD1-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 85A COPAK247 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog