Kupować APT50M65B2FLLG z BYCHPS
Kup z gwarancją
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | T-MAX™ [B2] |
| Seria: | POWER MOS 7® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 65 mOhm @ 33.5A, 10V |
| Strata mocy (max): | 694W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 Variant |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Numer części producenta: | APT50M65B2FLLG |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 7010pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 141nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 500V 67A (Tc) 694W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 500V |
| Opis: | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 67A (Tc) |
| Email: | [email protected] |